Rango de frecuencia (F0)

1MHz~200MHz

Tipo de abanico

CMOS/HCOMS/LVCMOS

Voltaje de suministro (VDD) Funcionamiento recomendado

1,8 V, 2,5 V, 2,8 V, 3,3 V, 5,0 V ±10%

Rango de temperatura de funcionamiento

-40°C～+85°C, -40°C～+125°C o especificar

Estabilidad de frecuencia sobre temperatura

±20 ppm, ±50 ppm, ±100 ppm o especificar

CMOS

VOL (Máx.)

0,18 V, 0,25 V, 0,28 V, 0,33 V, 0,5 V

VOH (mín.)

1,62 V, 2,25 V, 2,52 V, 2,97 V, 4,5 V

Rango de temperatura de almacenamiento

-55°C～+125°C

Corriente de entrada

3,3 V

1.544Mhz~32Mhz 35mA(15pF)

32Mhz~85Mhz 45mA(15pF)

85Mhz~200Mhz 60mA(15pF)

1.544Mhz~32Mhz 35mA(15pF)/45mA(30pF)

32 Mhz ~ 85 Mhz 50 mA (15 pF)/60 mA (30 pF)

85Mhz~200Mhz 70mA(15pF)

5,0 V

Simetría (ciclo de trabajo)

40%~60%; 45%~55%

Aumento/tiempo completo (a 0,2 VDD ~ 0,8 VDD)

10 ns máx.

Capacitancia de carga

15 pF/30 pF/50 pF

Hora de inicio (típica)

10 ms máx. (15 pF)

Función E/D

PIN #1 Abierto o Valto≥0.7VDD

PIN #3 Activo

PIN #1 Vbajo≥0.3VDD

alto

Envejecimiento a 25 °C 1er año (máx.)

±1 ppm/año, ±3 ppm/año, ±5 ppm/año

Además de los parámetros enumerados en la tabla, se puede diseñar según las necesidades del cliente.