Especificaciones eléctricas | OSC 2,0*1,6 | |
Rango de frecuencia (F0) | 1MHz~200MHz y 32.768KHz | |
Tipo de abanico | CMOS/HCOMS/LVCMOS | |
Voltaje de suministro (VDD) Funcionamiento recomendado | 1,8 V, 2,5 V, 2,8 V, 3,3 V, 5,0 V ±10% | |
Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C ~ +85°C, -40°C ~ +125°C o especificar | |
Estabilidad de frecuencia sobre temperatura | ±20 ppm, ±50 ppm, ±100 ppm o especificar | |
CMOS | ||
VOL (Máx.) | 0,33 V, 0,5 V | |
VOH (mín.) | 2,97 V, 4,5 V | |
Rango de temperatura de almacenamiento | -55°C ~ +125°C | |
Corriente de entrada | 3,3 V | 1Mhz~50Mhz 10mA |
5,0 V | >50Mhz 20mA | |
Simetría (ciclo de trabajo) | 40%~60%; 45%~55% | |
Aumento/tiempo completo (a 0,2 VDD ~ 0,8 VDD) | 5 ns máx. | |
Capacitancia de carga | 15 pF/30 pF/50 pF | |
Hora de inicio (típica) | 3 ms máx. (15 pF) | |
Función E/D | ||
PIN #1 Abierto o Valto≥0.7VDD | PIN#3 Activo | |
PIN #1 Vbajo≥0.3VDD | alto | |
Envejecimiento a 25 °C 1er año (máx.) | ±1 ppm/año, ±3 ppm/año, ±5 ppm/año | |
Además de los parámetros enumerados en la tabla, se puede diseñar según las necesidades del cliente. | ||
Consulte al representante de ventas para otras especificaciones.

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